RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2546
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link