RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3046
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link