RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3125
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link