RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
12.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2185
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link