Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.9 14.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 43

Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.8 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 27
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 14.6
Скорость записи, Гб/сек

9.6 10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 2290

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB

Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

модули RAM

Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM