RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3098
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link