RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3171
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link