RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
43
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2841
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link