RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
55
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
55
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
19.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2239
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link