RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
43
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2854
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link