RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
74
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
74
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
1616
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link