RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
59
Около -168% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3066
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link