RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
59
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
9.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2046
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link