RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Kingston KMKYF9-HYA 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2899
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link