RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.2
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2078
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link