RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
69
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3367
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link