Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 69

Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.2 1,857.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,217.2 18.0
Скорость записи, Гб/сек

1,857.7 15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 3660

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM