RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
58
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2179
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link