RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3809
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link