RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
4182
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link