Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 14.8

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 46

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 3200

Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 32
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 14.8
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 17000

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2533

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston 9965662-018.A00G 32GB

Kingston 9965662-018.A00G 32GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston KV0M5R-MIE 8GB

Kingston KV0M5R-MIE 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingston 9905678-023.A00G 8GB

Kingston 9905678-023.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingston 9905701-008.A00G 16GB

Kingston 9905701-008.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

модули RAM