RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2931
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link