RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
22.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3873
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link