RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
46
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
9.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2044
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link