RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
122
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
122
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1411
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kllisre 0000 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link