Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 86

Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения

2 12.1

Среднее значение в тестах

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

5.7 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 3200

Около 6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 86
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 12.1
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 19200

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 1220

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB

Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

модули RAM

Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB

Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM