RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3292
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link