Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 46

Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.6 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 3200

Около 8 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 35
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 15.1
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 25600

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2502

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingston 9905624-019.A00G 8GB

Kingston 9905624-019.A00G 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9905703-009.A00G 16GB

Kingston 9905703-009.A00G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

модули RAM