RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3851
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link