Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 13.9

Среднее значение в тестах

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 46

Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.9 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 3200

Около 6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 38
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 13.9
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 19200

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2581

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

модули RAM