RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,451.8
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
3140
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link