RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.7
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
2,451.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
8.7
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
1999
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link