RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,451.8
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
21.3
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
3610
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link