RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
60
Около -58% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2843
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link