Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,168.2 13.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 60

Около -122% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 27
Скорость чтения, Гб/сек

4,595.2 17.8
Скорость записи, Гб/сек

2,168.2 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

941 3299

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM