Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 20.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,168.2 17.7

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 60

Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,595.2 20.7
Скорость записи, Гб/сек

2,168.2 17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

941 4048

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB

V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM