RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
60
Около -94% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
20.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3649
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link