RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
60
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2159
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link