RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
52
Около -174% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,906.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,672.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,906.4
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
698
3521
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link