RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
77
Около -108% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2863
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link