Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 16.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 77

Около -196% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 26
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 19.3
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 3723

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB

Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

модули RAM