RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3742
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link