Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 11

Среднее значение в тестах

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Причины выбрать
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

48 77

Около -60% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.7 2,622.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 48
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 11.0
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 2235

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

модули RAM