Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 60

Около 40% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.3 9.3

Среднее значение в тестах

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18 15

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 60
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 18.0
Скорость записи, Гб/сек

10.3 9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 17000

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2569 2004

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

модули RAM