RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
40
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
40
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3180
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link