Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 44

Около 18% меньшая задержка

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 10.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 44
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 15.8
Скорость записи, Гб/сек

10.3 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 19200

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2569 2803

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 99U5701-003.A00G 16GB

Kingston 99U5701-003.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

UMAX Technology 16GB

UMAX Technology 16GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

модули RAM