Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 36

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

19.4 10.3

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 25
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 21.0
Скорость записи, Гб/сек

10.3 19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 17000

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2569 4129

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

модули RAM