RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
10.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3260
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link