Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 96

Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 11

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 4.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 96
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 11.0
Скорость записи, Гб/сек

12.0 4.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 1062

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingston 9965604-008.D00G 16GB

Kingston 9965604-008.D00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-031.A00LF 16GB

Kingston 9965516-031.A00LF 16GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

модули RAM