RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
9.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2126
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link